公司在近期调研中释放的产品进展，试图为扩产提供支撑：700V高压BCD产品工程阶段取得重大突破，计划2026年释放产能；与芯微泰克合作的1200V背道激光退火超薄片IGBT进入工程批试样。技术突破与扩产规划形成对应，看似具备落地基础，但产能释放与市场需求、客户验证之间的时间差，仍然具备不确定性。
据新浪科技消息，2月26日，小米REDMI产品经理胡馨心就上游存储器涨价引发的行业危机公开回应，她表示，上游存储芯片涨价会逐步传导至终端手机定价，进而导致市场需求萎缩，压缩成本分摊基数，进一步推高单机成本，形成成本上涨—定价上调—需求收缩—成本再涨的正反馈循环，当前的存储超级周期对手机厂商而言，就像一连串的“鬼故事”。
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